Каталог описаний

Team Group TSDD256M533C25

Team Group TSDD256M533C25 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4

Team Group TSDD256M533C25 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4200 Мб/с
Объем1 модуль 256 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)4
RAS to CAS Delay (tRCD)4
Row Precharge Delay (tRP)4
Activate to Precharge Delay (tRAS)12
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля8
Напряжение питания1.8 В