Каталог описаний

Team Group TEDD512M667HC4

Team Group TEDD512M667HC4 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4

Team Group TEDD512M667HC4 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота667 МГц
Пропускная способность5300 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)4
RAS to CAS Delay (tRCD)4
Row Precharge Delay (tRP)4
Activate to Precharge Delay (tRAS)12
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля8
Напряжение питания1.8 В
Радиаторесть