Каталог описаний

Super Talent T400SB1G_E

Super Talent T400SB1G_E - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3

Super Talent T400SB1G_E - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота400 МГц
Пропускная способность3200 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)3
RAS to CAS Delay (tRCD)3
Row Precharge Delay (tRP)3
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В
Количество ранков2