Каталог описаний

Silicon Power SP512MBRRE533O01

Silicon Power SP512MBRRE533O01 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4

Silicon Power SP512MBRRE533O01 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4200 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)да
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)4
RAS to CAS Delay (tRCD)4
Row Precharge Delay (tRP)4
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля9, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В