Каталог описаний

Silicon Power SP512MBLRU667O02

Silicon Power SP512MBLRU667O02 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5

Silicon Power SP512MBLRU667O02 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота667 МГц
Пропускная способность5300 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
RAS to CAS Delay (tRCD)5
Row Precharge Delay (tRP)5
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В