Каталог описаний

Silicon Power SP512MBLRU533O02

Silicon Power SP512MBLRU533O02 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4

Silicon Power SP512MBLRU533O02 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4200 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)4
RAS to CAS Delay (tRCD)4
Row Precharge Delay (tRP)4
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В