Каталог описаний

Silicon Power SP512MBLRE800O01

Silicon Power SP512MBLRE800O01 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5

Silicon Power SP512MBLRE800O01 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота800 МГц
Пропускная способность6400 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
RAS to CAS Delay (tRCD)5
Row Precharge Delay (tRP)5
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля9, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В