Каталог описаний

Silicon Power SP256MBLRU533L02

Silicon Power SP256MBLRU533L02 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4

Silicon Power SP256MBLRU533L02 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4200 Мб/с
Объем1 модуль 256 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)4
RAS to CAS Delay (tRCD)4
Row Precharge Delay (tRP)4
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля4
Напряжение питания1.8 В