Каталог описаний

Silicon Power SP256MBLDU266L02

Silicon Power SP256MBLDU266L02 - описание

1 модуль памяти DDR, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, CAS Latency (CL): 2.5

Silicon Power SP256MBLDU266L02 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторDIMM 184-контактный
Тактовая частота266 МГц
Пропускная способность2100 Мб/с
Объем1 модуль 256 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)2.5
RAS to CAS Delay (tRCD)3
Row Precharge Delay (tRP)3
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля4, односторонняя упаковка
Напряжение питания2.5 В