Silicon Power SP012GBLTU133V31
Silicon Power SP012GBLTU133V31 - описание
3 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Silicon Power SP012GBLTU133V31 - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1333 МГц |
Пропускная способность | 10600 Мб/с |
Объем | 3 модуля по 4 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги |
CAS Latency (CL) | 9 |
Дополнительно |
Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.5 В |