Каталог описаний

Silicon Power SP004GBSTU106V02

Silicon Power SP004GBSTU106V02 - описание

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1066 МГц, CAS Latency (CL): 7

Silicon Power SP004GBSTU106V02 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторSODIMM 204-контактный
Тактовая частота1066 МГц
Пропускная способность8500 Мб/с
Объем1 модуль 4 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)7
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В