Каталог описаний

Silicon Power SP004GBRTE133U01

Silicon Power SP004GBRTE133U01 - описание

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 9

Silicon Power SP004GBRTE133U01 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1333 МГц
Пропускная способность10600 Мб/с
Объем1 модуль 4 Гб
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)да
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)9
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В