Каталог описаний

Silicon Power SP004GBLYU213S2B

Silicon Power SP004GBLYU213S2B - описание

2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9

Silicon Power SP004GBLYU213S2B - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота2133 МГц
Пропускная способность17066 Мб/с
Объем2 модуля по 2 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)9
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.65 В
Радиаторесть