Каталог описаний

Silicon Power SP004GBLTU133V22

Silicon Power SP004GBLTU133V22 - описание

2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9

Silicon Power SP004GBLTU133V22 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1333 МГц
Пропускная способность10600 Мб/с
Объем2 модуля по 2 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)9
RAS to CAS Delay (tRCD)9
Row Precharge Delay (tRP)9
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля8
Напряжение питания1.5 В