Каталог описаний

Silicon Power SP002GBLRU667S22

Silicon Power SP002GBLRU667S22 - описание

2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5

Silicon Power SP002GBLRU667S22 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота667 МГц
Объем2 модуля по 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
Дополнительно
Напряжение питания1.8 В