Каталог описаний

Silicon Power SP002GBLRE667S01

Silicon Power SP002GBLRE667S01 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5

Silicon Power SP002GBLRE667S01 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота667 МГц
Объем1 модуль 2 Гб
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В