Каталог описаний

Silicon Power SP001GBSRU800Q02

Silicon Power SP001GBSRU800Q02 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5

Silicon Power SP001GBSRU800Q02 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота800 МГц
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В