Samsung DDR3 800 SO-DIMM 1Gb
Samsung DDR3 800 SO-DIMM 1Gb - описание
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6
Samsung DDR3 800 SO-DIMM 1Gb - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 6 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 6 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 6 |
| Дополнительно |
| Напряжение питания | 1.5 В |
