Каталог описаний

Samsung DDR3 800 Registered ECC DIMM 4Gb

Samsung DDR3 800 Registered ECC DIMM 4Gb - описание

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 6

Samsung DDR3 800 Registered ECC DIMM 4Gb - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота800 МГц
Объем1 модуль 4 Гб
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)да
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)6
RAS to CAS Delay (tRCD)6
Row Precharge Delay (tRP)6
Дополнительно
Напряжение питания1.5 В