Каталог описаний

Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb

Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb - описание

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторSODIMM 204-контактный
Тактовая частота1600 МГц
Пропускная способность12800 Мб/с
Объем1 модуль 4 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)11
RAS to CAS Delay (tRCD)11
Row Precharge Delay (tRP)11
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка