Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 1Gb
Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 1Gb - описание
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 9
Samsung DDR3 1333 Registered ECC DIMM 1Gb - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 1333 МГц |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | есть |
| Буферизованная (Registered) | да |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 9 |
| Напряжение питания | 1.5 В |
