Samsung DDR2 800 SO-DIMM 256Mb
Samsung DDR2 800 SO-DIMM 256Mb - описание
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц
Samsung DDR2 800 SO-DIMM 256Mb - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Пропускная способность | 6400 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 256 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 4, односторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.8 В |
| Количество ранков | 1 |
| Дополнительная информация | CL-tRCD-tRP 5-5-5 или 6-6-6 |
