Каталог описаний

Samsung DDR 400 SO-DIMM 512Mb

Samsung DDR 400 SO-DIMM 512Mb - описание

1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3

Samsung DDR 400 SO-DIMM 512Mb - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота400 МГц
Пропускная способность3200 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)3
RAS to CAS Delay (tRCD)3
Row Precharge Delay (tRP)3
Дополнительно
Напряжение питания2.6 В