Каталог описаний

Samsung DDR 400 Registered ECC DIMM 512Mb

Samsung DDR 400 Registered ECC DIMM 512Mb - описание

1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3

Samsung DDR 400 Registered ECC DIMM 512Mb - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторDIMM 184-контактный
Тактовая частота400 МГц
Пропускная способность3200 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)да
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)3
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
Напряжение питания2.5 В
Количество ранков1