Каталог описаний

Samsung DDR 266 ECC DIMM 1Gb

Samsung DDR 266 ECC DIMM 1Gb - описание

1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC

Samsung DDR 266 ECC DIMM 1Gb - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторDIMM 184-контактный
Тактовая частота266 МГц
Пропускная способность2100 Мб/с
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет