Qimonda IMSH51E03A1F1C-10F
Qimonda IMSH51E03A1F1C-10F - описание
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 7
Qimonda IMSH51E03A1F1C-10F - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1066 МГц |
Пропускная способность | 8500 Мб/с |
Объем | 1 модуль 512 Мб |
Поддержка ECC | есть |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги |
CAS Latency (CL) | 7 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 7 |
Row Precharge Delay (tRP) | 7 |
Дополнительно |
Количество ранков | 1 |