Каталог описаний

ProMOS Technologies DDR2 800 CL6 SO-DIMM 1Gb

ProMOS Technologies DDR2 800 CL6 SO-DIMM 1Gb - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 6

ProMOS Technologies DDR2 800 CL6 SO-DIMM 1Gb - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота800 МГц
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)6
RAS to CAS Delay (tRCD)6
Row Precharge Delay (tRP)6
Дополнительно
Напряжение питания1.8 В