Каталог описаний

ProMOS Technologies DDR2 800 CL5 SO-DIMM 512Mb

ProMOS Technologies DDR2 800 CL5 SO-DIMM 512Mb - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5

ProMOS Technologies DDR2 800 CL5 SO-DIMM 512Mb - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота800 МГц
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
RAS to CAS Delay (tRCD)5
Row Precharge Delay (tRP)5
Дополнительно
Напряжение питания1.8 В