ProMOS Technologies DDR2 800 CL5 SO-DIMM 512Mb
ProMOS Technologies DDR2 800 CL5 SO-DIMM 512Mb - описание
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
ProMOS Technologies DDR2 800 CL5 SO-DIMM 512Mb - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR2 |
Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тактовая частота | 800 МГц |
Объем | 1 модуль 512 Мб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги |
CAS Latency (CL) | 5 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
Row Precharge Delay (tRP) | 5 |
Дополнительно |
Напряжение питания | 1.8 В |