| Общие характеристики | |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Объем | 2 модуля по 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 5 |
| Дополнительно | |
| Напряжение питания | 1.8 В |
| Количество ранков | 2 |