| Общие характеристики | |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | DIMM 184-контактный |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Пропускная способность | 3200 Мб/с |
| Объем | 2 модуля по 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| Дополнительно | |
| Напряжение питания | 2.6 В |
| Количество ранков | 2 |