OCZ OCZ2P1000512EE
OCZ OCZ2P1000512EE - описание
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1000 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4
OCZ OCZ2P1000512EE - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 1000 МГц |
| Пропускная способность | 8000 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 4 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 15 |
| Дополнительно |
| Радиатор | есть |
