OCZ OCZ2G800R21G
OCZ OCZ2G800R21G - описание
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4
OCZ OCZ2G800R21G - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Пропускная способность | 6400 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 4 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 5 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 15 |
| Дополнительно |
| Радиатор | есть |
| Дополнительная информация | напряжение питания 1.95-2.1В, поддержка технологии Extended Voltage Protection |
