OCZ OCZ266512V
OCZ OCZ266512V - описание
1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
OCZ OCZ266512V - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | DIMM 184-контактный |
| Тактовая частота | 266 МГц |
| Пропускная способность | 2100 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 2.5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 3 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 3 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 7 |
| Дополнительно |
| Напряжение питания | 2.5 В |
