Каталог описаний

Mushkin 991393

Mushkin 991393 - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4

Mushkin 991393 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4200 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)4
RAS to CAS Delay (tRCD)4
Row Precharge Delay (tRP)4
Activate to Precharge Delay (tRAS)12
Дополнительно
Напряжение питания1.8 В