Kingston M6464B250
Kingston M6464B250 - описание
1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 266 МГц
Kingston M6464B250 - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR |
Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Тактовая частота | 266 МГц |
Пропускная способность | 2100 Мб/с |
Объем | 1 модуль 512 Мб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Дополнительно |
Совместимость | 91.43U29.003 (Acer); 5000639 (Gateway); AN*A000009500 (NEC); AP*A000033800 (NEC); PK-UG-M037 (NEC); CF-WMBA20512 (Panasonic); CF-WMBA30512 (Panasonic); SMM-512D266E/E (Samsung) |