Kingston KVR667D2S8F5/512
Kingston KVR667D2S8F5/512 - описание
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2S8F5/512 - характеристики
Общие характеристики |
Тип памяти | DDR2 |
Форм-фактор | FB-DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 667 МГц |
Пропускная способность | 5300 Мб/с |
Объем | 1 модуль 512 Мб |
Поддержка ECC | есть |
Буферизованная (Registered) | да |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги |
CAS Latency (CL) | 5 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
Row Precharge Delay (tRP) | 5 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 15 |
Дополнительно |
Количество чипов каждого модуля | 9, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.8 В |
Радиатор | есть |
Количество ранков | 1 |
Дополнительная информация | Память снабжена микросхемой AMB (Advanced Memory Buffer), которая увеличивает скорость буферизации всех сигналов - синхронизации, адреса, команд и данных в направлении устройства DRAM и обратно. |