Kingston KVR533D2S8F4/512I
Kingston KVR533D2S8F4/512I - описание
1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4
Kingston KVR533D2S8F4/512I - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | FB-DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 533 МГц |
| Пропускная способность | 4200 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | есть |
| Буферизованная (Registered) | да |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 4 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 4 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 4 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 9, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.8 В |
| Радиатор | есть |
| Количество ранков | 1 |
| Дополнительная информация | Intel Validated memory module |
