Каталог описаний

Kingston KVR266S4R25/512I

Kingston KVR266S4R25/512I - описание

1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 266 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 2.5

Kingston KVR266S4R25/512I - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR
Форм-факторDIMM 184-контактный
Тактовая частота266 МГц
Пропускная способность2100 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCесть
Буферизованная (Registered)да
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)2.5
Дополнительно
Напряжение питания2.5 В
Количество ранков1