Kingston KVR1333D3N9/512
Kingston KVR1333D3N9/512 - описание
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Kingston KVR1333D3N9/512 - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 1333 МГц |
| Пропускная способность | 10600 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.5 В |
