Каталог описаний

Kingston KVR1066D3N7K2/1G

Kingston KVR1066D3N7K2/1G - описание

2 модуля памяти DDR3, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, CAS Latency (CL): 7

Kingston KVR1066D3N7K2/1G - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1066 МГц
Пропускная способность8500 Мб/с
Объем2 модуля по 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)7
RAS to CAS Delay (tRCD)7
Row Precharge Delay (tRP)7
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В