Каталог описаний

Kingston KVR1066D3N7/512

Kingston KVR1066D3N7/512 - описание

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, CAS Latency (CL): 7

Kingston KVR1066D3N7/512 - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота1066 МГц
Пропускная способность8500 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)7
RAS to CAS Delay (tRCD)7
Row Precharge Delay (tRP)7
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля8, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.5 В