Каталог описаний

Kingston KTT533M4/1G

Kingston KTT533M4/1G - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц

Kingston KTT533M4/1G - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота533 МГц
Пропускная способность4200 Мб/с
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Дополнительно
Напряжение питания1.8 В