Kingston KHX9200D2K2/1G
Kingston KHX9200D2K2/1G - описание
2 модуля памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1150 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX9200D2K2/1G - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 1150 МГц |
| Пропускная способность | 9200 Мб/с |
| Объем | 2 модуля по 512 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 5 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 15 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 8, односторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.8 В |
| Радиатор | есть |
| Дополнительная информация | модули протестированы для работы на 1150Mhz с таймингами 5-5-5-15 при напряжении 2.3-2.35В. |
