Каталог описаний

Kingston KHX2000C9D3T1K3/12GX

Kingston KHX2000C9D3T1K3/12GX - описание

3 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2000 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9

Kingston KHX2000C9D3T1K3/12GX - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM 240-контактный
Тактовая частота2000 МГц
Пропускная способность16000 Мб/с
Объем3 модуля по 4 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)9
RAS to CAS Delay (tRCD)10
Row Precharge Delay (tRP)9
Activate to Precharge Delay (tRAS)27
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания1.65 В
Радиаторесть