Kingston KHX11000D3LLK2/4G
Kingston KHX11000D3LLK2/4G - описание
2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1375 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 7
Kingston KHX11000D3LLK2/4G - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR3 |
| Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
| Тактовая частота | 1375 МГц |
| Пропускная способность | 11000 Мб/с |
| Объем | 2 модуля по 2 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 7 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 7 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 7 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 20 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.7 В |
| Радиатор | есть |
