Каталог описаний

Hynix DDR2 667 SO-DIMM 256Mb

Hynix DDR2 667 SO-DIMM 256Mb - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5

Hynix DDR2 667 SO-DIMM 256Mb - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота667 МГц
Пропускная способность5300 Мб/с
Объем1 модуль 256 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
RAS to CAS Delay (tRCD)5
Row Precharge Delay (tRP)5
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля4, односторонняя упаковка
Напряжение питания1.8 В
Количество ранков1