GoodRAM GR400S64L3/256
GoodRAM GR400S64L3/256 - описание
1 модуль памяти DDR, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
GoodRAM GR400S64L3/256 - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Пропускная способность | 3200 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 256 Мб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 3 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 8, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 2.6 В |
| Количество ранков | 1 |
