GoodRAM GR400S64L3/1G
GoodRAM GR400S64L3/1G - описание
1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
GoodRAM GR400S64L3/1G - характеристики
| Общие характеристики |
| Тип памяти | DDR |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) | 3 |
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 2.6 В |
| Количество ранков | 2 |
