Каталог описаний

G.SKILL F3-10666CL9D-8GBSQ

G.SKILL F3-10666CL9D-8GBSQ - описание

2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9

G.SKILL F3-10666CL9D-8GBSQ - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторSODIMM 204-контактный
Тактовая частота1333 МГц
Пропускная способность10666 Мб/с
Объем2 модуля по 4 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)9
RAS to CAS Delay (tRCD)9
Row Precharge Delay (tRP)9
Activate to Precharge Delay (tRAS)24
Дополнительно
Напряжение питания1.5 В