Каталог описаний

G.SKILL F2-5400PHU1-1GBMB

G.SKILL F2-5400PHU1-1GBMB - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5

G.SKILL F2-5400PHU1-1GBMB - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота667 МГц
Объем1 модуль 1 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
RAS to CAS Delay (tRCD)5
Row Precharge Delay (tRP)5
Activate to Precharge Delay (tRAS)15
Дополнительно
Напряжение питания1.8 В
Совместимостьдля Apple